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canale IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor di potenza SMPS n del Mosfet di 43A 200v

Quantità di ordine minimo: 10 PCS
MOQ
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Prezzo
canale IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor di potenza SMPS n del Mosfet di 43A 200v
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Produttore Part Number: IRFB38N20DPBF
Tipo: circuito integrato
Luogo di origine: Produttore originale
Marca: Original brand
CC: Lastest nuovo
Termine d'esecuzione: giorni 1-3working
Evidenziare:

transistor di potenza del mosfet 200V

,

Transistor di potenza SMPS del Mosfet

,

IRFB38N20DPBF
Informazioni di base
Luogo di origine: Fabbrica originale
Marca: IOR
Certificazione: ROHS
Numero di modello: IRFB38N20DPBF
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Imballaggio standard
Tempi di consegna: All'interno di 3days
Termini di pagamento: T/T in anticipo, Western Union, Xtransfer
Capacità di alimentazione: 1000
Descrizione di prodotto

MOSFET di MANICA SMPS del TRANSISTOR DI POTENZA IRFB38N20DPBF n del MOSFET di 200V 43A 3.8W 300W

 

Tipo del FET: N-Manica Vuoti a tensione di fonte: 200V
Corrente - scolo continuo: 43A Tensione di controllo: 10V
Alta luce:

transistor del mosfet di alto potere

,

transistor del mosfet del canale di n
 

 

N-Manica 200V 43A 3.8W 300W di IRFB38N20DPBF tramite il MOSFET del foro TO-220AB SMPS

Applicazioni
l convertitori cc-cc ad alta frequenza
la l TO-220 è disponibile in PbF come senza piombo
Benefici
l tassa bassa dello Portone--scolo da ridurrsi commutare le perdite
la l completamente ha caratterizzato la capacità compreso efficace COSS per semplificare la progettazione, (SeeApp. Nota AN1001)
la l completamente ha caratterizzato la tensione e la corrente di valanga

 

Tipo del FET N-Manica  
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)  
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 200V  
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 43A (TC)  
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 54 mOhm @ 26A, 10V  
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 5V @ 250µA  
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 91nC @ 10V  
Vgs (massimo) ±20V  
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 2900pF @ 25V  
Caratteristica del FET -  
Dissipazione di potere (massima) 3.8W (tum), 300W (TC)  
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C

 

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Prodotto Tag:

Transistor di potenza del Mosfet

Transistor di alto potere

transistor del mosfet del canale di n

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