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Manica di superficie del supporto IRFR024NTRPBF D Pak N del transistor di alto potere di 17a 55v 45w

Quantità di ordine minimo: 10 PCS
MOQ
negotiate
Prezzo
Manica di superficie del supporto IRFR024NTRPBF D Pak N del transistor di alto potere di 17a 55v 45w
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Number di modello:: IRFR024NTRPBF
Tipo: circuito integrato
Marca: Original brand
Tipo del pacchetto: SMD
Porto: Shenzhen o Hong Kong
Termine d'esecuzione: giorni 1-3working
Evidenziare:

transistor di alto potere 55v

,

transistor di alto potere 45w

,

IRFR024NTRPBF

Informazioni di base
Luogo di origine: Fabbrica originale
Marca: IOR
Certificazione: ROHS COMPLIANT
Numero di modello: IRFR024NTRPBF
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Imballaggio standard
Tempi di consegna: All'interno di 3days
Termini di pagamento: T/T in anticipo, Western Union, Xtransfer
Capacità di alimentazione: 1000
Descrizione di prodotto

MANICA DI SUPERFICIE 55V 17A 45W di d PAK n del TRANSISTOR di ALTO POTERE del SUPPORTO IRFR024NTRPBF

 

Descrizione di prodotto dettagliata
Tipo del FET: N-Manica Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C
Livello di sensibilità di umidità (MSL): 1 (illimitato) Stato senza piombo/stato di RoHS: Senza piombo/RoHS compiacente
Alta luce:

transistor del mosfet di alto potere

,

transistor del mosfet del canale di n

 

 

Supporto di superficie RoHS di N-Manica 55V 17A 45W di IRFR024NTRPBF D-PAK compiacente

Caratteristica
l Su resistenza ultrabassa
l supporto della superficie (IRFR024N)
l cavo diritto (IRFU024N)
la l ha avanzato la tecnologia della trasformazione
l commutazione veloce
l completamente valanga valutata
Tipo del FET N-Manica  
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)  
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 55V  
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 17A (TC)  
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 75 mOhm @ 10A, 10V  
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA  
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 20nC @ 10V  
Vgs (massimo) ±20V  
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 370pF @ 25V  
Caratteristica del FET -  
Dissipazione di potere (massima) 45W (TC)  
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Montaggio del tipo Supporto di superficie

 

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