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Singola CC ad alta tensione SIHB22N60E-E3 ROHS del transistor di potenza del Mosfet

Quantità di ordine minimo: 10 PCS
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Prezzo
Singola CC ad alta tensione SIHB22N60E-E3 ROHS del transistor di potenza del Mosfet
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Produttore Part Number: SIHB22N60E-E3
Marca: original
Tipo: circuito integrato
Luogo di origine: Produttore originale
CC: Lastest nuovo
Termine d'esecuzione: giorni 1-3Working
Evidenziare:

Singolo transistor di potenza del Mosfet

,

Transistor di potenza ROHS del Mosfet

,

CC ad alta tensione del transistor del Mosfet
Informazioni di base
Luogo di origine: Fabbrica originale
Marca: VISHAY
Certificazione: ROHS
Numero di modello: SIHB22N60E-E3
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Imballaggio standard
Tempi di consegna: All'interno di 3days
Termini di pagamento: T/T in anticipo, Western Union, Xtransfer
Capacità di alimentazione: 1000
Descrizione di prodotto

SINGOLO TRANSISTOR DI POTENZA AD ALTA TENSIONE SIHB22N60E - PACCHETTO D2PAK del MOSFET di E3 600V 21A

 

Tipo del FET: N-Manica Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto: TO263-3 D2PAK
Alta luce:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor del canale di n
 

 

 

Singolo transistor di potenza ad alta tensione SIHB22N60E - pacchetto D2PAK del Mosfet di E3 600V 21A

 

SINGOLI MOSFETS DI N-MANICA DI MSL 1

Caratteristiche tecniche del prodotto

Produttore Vishay Siliconix  
Serie -  
Imballaggio Metropolitana  
Stato della parte Attivo  
Tipo del FET N-Manica  
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)  
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 600V  
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 21A (TC)  
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V  
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA  
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 86nC @ 10V  
Vgs (massimo) ±30V  
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 1920pF @ 100V  
Caratteristica del FET -  
Dissipazione di potere (massima) 227W (TC)  
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Montaggio del tipo Supporto di superficie  
Pacchetto del dispositivo del fornitore D2PAK  
Pacchetto/caso TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB

 

OPA2107AU/2K5 TI PTH05050WAZ TI
THCV231-3L/CD TI TMS320DM8168CCYG2 TI
THC63LVD1024-1LTN TI PTH08T231WAD TI
TMS320F28035PNT TI TPS65920A2ZCHR TI
INA126PA TI LMH0344SQ/NOPB TI
TPS73533DRBR TI AD5412AREZ-REEL7 TI
TPS54319RTER TI ADS1241E/1K TI
IC12715001 TI TL16C552AFNR TI
THCV235-TB TI PGA204AU/1K TI
THCV236-ZY TI ADS8505IDWR TI
ADS8326IDGKR TI TMS320LF2407APGEA TI
ADS7816U/2K5 TI AM3703CUSD100 TI
DAC7558IRHBR TI TMS320DM8148CCYEA0 TI
ADSP-21489KSWZ-4B TI LMZ23610TZE/NOPB TI
TPS75801KTTR TI TPS2115ADRBR TI
Prodotto Tag:

Transistor di potenza del Mosfet

Transistor di alto potere

transistor del mosfet del canale di n

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