Name: Serie integrata del fet della fossa del chip SUD50P06-15L-E3 del transistor di potenza del Mosfet
Brand: VISHAY
SKU: SUD50P06-15L-E3
Rating: 4.9 (175 reviews)

Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione

Caratteristiche

Specificazioni

Numero di modello: SUD50P06-15L-E3

Tipo: circuito integrato

Luogo di origine: Produttore originale

D/C: Newst

Porto: Shenzhen o Hong Kong

Termine d'esecuzione: giorni 1-3Working

Evidenziare:

Transistor di potenza integrato del Mosfet

Chip del transistor di potenza del Mosfet

SUD50P06-15L-E3

Informazioni di base

Luogo di origine: Fabbrica originale

Marca: VISHAY

Certificazione: ROHS

Numero di modello: SUD50P06-15L-E3

Termini di pagamento e spedizione

Imballaggi particolari: Imballaggio standard

Tempi di consegna: All'interno di 3days

Termini di pagamento: T/T in anticipo, Western Union, Xtransfer

Capacità di alimentazione: 1000

Galleria

Serie integrata del fet della fossa del chip SUD50P06-15L-E3 del transistor di potenza del Mosfet

Descrizione di prodotto

IL CIRCUITO INTEGRATO IC DI P-CH SCHEGGIA LA SERIE DEL FET DELLA FOSSA DI SUD50P06-15L-E3 TO252

Le merci condizionano:	Nuovissimo	Stato della parte:	Attivo
Senza piombo/Rohs:	Reclamo	Funzione:	Mosfet
Montaggio del tipo:	Supporto di superficie	Pacchetto:	TO-252
Alta luce:	transistor del mosfet del canale di n , transistor del canale di n

Serie del MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET del chip di IC del circuito integrato SUD50P06-15L-E3

P-Manica 60 V (D-S), un MOSFET di 175 °C

CARATTERISTICHE
1, MOSFET di potere di TrenchFET®
2, temperatura di giunzione di 175 °C
3, compiacente a RoHS 2002/95/EC direttivo

Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Imballaggio	Nastro & bobina (TR)
Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	P-Manica
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	60V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	50A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	3V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	165nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	4950pF @ 25V
Caratteristica del FET	-
Dissipazione di potere (massima)	3W (tum), 136W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	15 mOhm @ 17A, 10V
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto/caso	TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63

Lista di altri componenti elettronici in azione
NUMERO DEL PEZZO	MFG/BRAND	NUMERO DEL PEZZO	MFG/BRAND
9LPRS133BKLFT	IDT	ISL62882HRTZ-T	INTERSIL
1ZB18	TOSHIBA	S1D13513B00B200	EPSON
W2F15C1038AT1A	AVX	MABACT0071	MA/COM
UP7719ASU8	MICRO	CRG05 (TE85L, Q)	TOSHIBA
MSN3010-472	COILCRAFT	PCI2050IPDV	TI
HA2-5033/883	HARRIS	MP4013	TOSHIBA
SLQ2592	UDMHGT	LT1017CS8	LINEARE
PACDN010QS	CMD	FBMH2012HM121-T	TAIYO
APL431AAC-TRG	ANPEC	MSP3415G-B8-V3	MICRONAS
ADM4850ARZ	ADI	LTC5505-2ES5#TRPBF	LT
23Z104SMNLT	IMPULSO	LPR550ALTR	St
TMX320DM8148CCYE2	TI	TLE4269GL	SIEMENS
TJA1050	PHLIPH	PS8710BTQFN24GTR2-A1	PARATA
LM2674MX-ADJ	NSC	CXD3117AR	SONY
BCM56340AOKFSBG	BRADCOM	ADS1000A0QDBVRQ1	TI
TPS79901DRVT	TI	TC74VHC273FT	TOSHIBA
TC358723XBG	TOSHIBA	MCM20027IBBL	MOTOROLA
STI5202DUD	St	SC2677TSTR	SEMTECH
ST16C552CJ	EXAR	RT9181CB	RICHTEK
VIPER53-DIP-E	St	DS2482S-100+T$R	MASSIMO

Prodotto Tag:

Persona di contatto :	Jack
Telefono :	+8618098974141

Serie integrata del fet della fossa del chip SUD50P06-15L-E3 del transistor di potenza del Mosfet

Transistor di potenza integrato del Mosfet

Chip del transistor di potenza del Mosfet

SUD50P06-15L-E3

transistor del mosfet del canale di n

transistor del canale di n

Transistor di potenza del Mosfet

Transistor di alto potere

transistor del mosfet del canale di n

transistor di potenza TO-247-3 IRFPC60PBF del Mosfet di 600v 16a attraverso il foro

150mhz - transistor M68702h del Mosfet di potere di 175mhz rf per la radio mobile di Fm

Manica IRFP4227PBF del transistor di potenza N del Mosfet di CC IRFP4227 a -247AC

transistor/tiristore CLA50E1200HB del Mosfet di alto potere di 1200v 50a

Complemento basso PBSS4160T del transistor di potenza PNP del Mosfet di NPN Vcesat

Tre transistor positivo terminale del Mosfet dei regolatori di tensione 5V KIA7805AF

Serie integrata del fet della fossa del chip SUD50P06-15L-E3 del transistor di potenza del Mosfet

supporto di superficie IRF640NSTRLPBF del transistor del Mosfet di Manica di 200v N