supporto di superficie IRF640NSTRLPBF del transistor del Mosfet di Manica di 200v N

Supporto D2PAK della superficie 150W (TC) del transistor 200V 18A (TC) del Mosfet di N-Manica di IRF640NSTRLPBF

? Tecnologia della trasformazione avanzata?

Valutazione dinamica di dv/dt? temperatura di funzionamento 175°C?

Commutazione veloce? Completamente valanga valutata?

Facilità di parallelizzazione?

Requisiti semplici dell'azionamento

Descrizione

I MOSFETs di potere della quinta generazione HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria. Il D2Pak è un pacchetto di superficie di potere del supporto capace di accomodazione degli estrusi fino a HEX-4. Fornisce la capacità di più alto potere e il onresistance possibile più basso in tutto il pacchetto di superficie attuale del supporto. Il D2Pak è adatto ad applicazioni a corrente forte a causa della sua resistenza interna bassa del collegamento e può dissipare fino a 2.0W in un'applicazione di superficie tipica del supporto. La versione del attraverso-foro (IRF640NL) è disponibile per l'applicazione lowprofile.

Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Imballaggio	Nastro & bobina (TR)
Stato della parte	Attivo
Tipo del FET	N-Manica
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	200V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	18A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	1160pF @ 25V
Caratteristica del FET	-
Dissipazione di potere (massima)	150W (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo	Supporto di superficie
Pacchetto del dispositivo del fornitore	D2PAK
Pacchetto/caso	TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB