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transistor di potenza TO-247-3 IRFPC60PBF del Mosfet di 600v 16a attraverso il foro

Quantità di ordine minimo: 10 PCS
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Prezzo
transistor di potenza TO-247-3 IRFPC60PBF del Mosfet di 600v 16a attraverso il foro
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Produttore Part Number: IRFPC60PBF
Marca: original
Tipo: circuito integrato
Luogo di origine: Produttore originale
CC: Lastest nuovo
Termine d'esecuzione: giorni 1-3Working
Evidenziare:

transistor di potenza del Mosfet 600v

,

transistor di potenza del Mosfet 16a

,

IRFPC60PBF

Informazioni di base
Luogo di origine: Fabbrica originale
Marca: IR
Certificazione: Standard Certification
Numero di modello: IRFPC60PBF
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Imballaggio standard
Tempi di consegna: All'interno di 3days
Termini di pagamento: T/T in anticipo, Western Union, Xtransfer
Capacità di alimentazione: 1000
Descrizione di prodotto

TRANSISTOR DI POTENZA 600V 16A del MOSFET di IRFPC60PBF ATTRAVERSO il FORO TO-247-3

 

Le merci condizionano: Nuovissimo Stato della parte: Attivo
Senza piombo/Rohs: Reclamo Funzione: MOSFET
Montaggio del tipo: Attraverso il foro Pacchetto: TO247
Alta luce:

transistor del mosfet di alto potere

,

transistor del canale di n

 

 

N-Manica 600V 16A (TC) 280W (TC) del TRANSISTOR del MOSFET di IRFPC60PBF attraverso il foro TO-247-3

CARATTERISTICHE
• Valutazione dinamica di dV/dt
• Valanga ripetitiva valutata
• Foro di montaggio centrale isolato
• Commutazione veloce
• Facilità di parallelizzazione
• Requisiti semplici dell'azionamento
• Disponibile senza del cavo (Pb)

DESCRIZIONE
I MOSFETs di potere della terza generazione da Vishay forniscono al progettista la migliore combinazione di commutazione veloce, di progettazione resa resistente del dispositivo, di su resistenza bassa e di redditività. Il pacchetto TO-247 è preferito per i livelli di potere delle applicazioni di commerciale-industriale dove più su precludere l'uso dei dispositivi TO-220. Il TO-247 è simile ma superiore al pacchetto più in anticipo TO-218 a causa del suo foro di montaggio isolato. Inoltre fornisce la maggior distanza di dispersione fra i perni per soddisfare le richieste della maggior parte delle specifiche di sicurezza.

Produttore Vishay Siliconix  
Serie -  
Imballaggio ? Metropolitana  ?  
Stato della parte Attivo  
Tipo del FET N-Manica  
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)  
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) 600V  
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C 16A (TC)  
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ 4V @ 250µA  
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs 210nC @ 10V  
Vgs (massimo) ±20V  
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds 3900pF @ 25V  
Caratteristica del FET -  
Dissipazione di potere (massima) 280W (TC)  
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs 400 mOhm @ 9.6A, 10V  
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Montaggio del tipo Attraverso il foro  
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-247-3  
Pacchetto/caso TO-247-3

 

Lista di altri componenti elettronici in azione
NUMERO DEL PEZZO MFG/BRAND   NUMERO DEL PEZZO MFG/BRAND
19409-002 ONSEMI   MAX6351LSUT-T MASSIMO
R1211N002B-TR-F RICOH   KA78M15 FAIRCHILD
LP61256GS-12 ELITEMT   CY24745OXC CYPRESS
KSD880YTU FAIRCHILD   AT91SAM7SE512-CU ATMEL/ADESTO
IDT5T93GL-061PFI IDT   MINISMDC150F/12-2 TYCO
S2202A SYNAPTICS   EXC28CH900U PANASONIC
NM-SM50+ MINI   ECT315 ECT
MAX1482CPD MASSIMO   293D106X9016C2TE3 VISHAY
WRM0204C-47RFI Na   VK05CFLTR-E St
TC74HCT245AF TOSHIBA   DS12C887+ DALLAS
LH28F160BJE-BTL90 TAGLIENTE   BA15218F ROHM
DS75150M NS   24C02C-I/SN MIC
BCT3661BELT-TR BROADCHIP   1812CS-102XJLC TYCO
TS5A3167DCKR TI   TLC320AC02CFNR TI
SSM3K05FU TOSHIBA   ATMEGA32L-8AC ATMEL/ADESTO
PIC16LC773/SS MICROCHIP   AD807A-155BRRL7 ADI
AME8815BEC330 AME   TK6A60W, S4VX TOSHIBA
TA8041FG TOSHIBA   BGS14AN16 E6327 INFINEO
MAX233AEWP MASSIMO   NTE0305MC MURATA
ADUC848BCPZ62-5 ADI   ME6209A36PG MICRONE
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