Memoria Bytewide monolitica di IC 64KB FM1608-120 Fram di memoria flash

FM1608-120 - RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION - MEMORIA BYTEWIDE DI 64KB FRAM

Dettaglio rapido:

memoria Bytewide di 64Kb FRAM

Descrizione:

Il FM1608 è una memoria non volatile di 64 kilobit che impiega un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale o un FRAM ferroelettrica è

non volatile ma funziona in altri rispetti come RAM. Fornisce la conservazione di dati per 10 anni mentre elimina le preoccupazioni dell'affidabilità, gli svantaggi funzionali e le complessità di progettazione di sistema da di SRAM sostenuto da batteria. Suo velocemente scrivere e su scrivere resistenza per renderla superiore ad altri tipi di memorie non volatili.

l'operazione del In-sistema del FM1608 è molto simile all'altro RAM ha basato i dispositivi. La memoria colta e i writecycles richiedono i periodi uguali. La memoria di FRAM, tuttavia, è non volatile dovuto il suo processo ferroelettrico unico di memoria. A differenza di BBSRAM, il FM1608 è una memoria non volatile vero monolitica. Fornisce gli stessi benefici funzionali di un veloce scrive senza gli svantaggi seri connessi con i moduli e

batterie o soluzioni ibride di memoria.

Queste capacità rendono l'ideale FM1608 per la richiesta delle applicazioni di memoria non volatile frequente o la rapida scrive in un ambiente bytewide. La disponibilità di vero pacchetto del superficie-supporto migliora il manufacturability di nuove progettazioni, mentre il pacchetto della IMMERSIONE facilita le modifiche di progettazione semplice. Il FM1608 offre l'operazione garantita sopra una gamma di temperature industriale di -40°C a +85°C.

Applicazioni:

64K ha morso RAM non volatile ferroelettrico

· Organizzato come 8.192 x 8 bit

· L'alta resistenza che 10 miliardo (1010) leggono/che scrive

· una conservazione di 10 dati di anno a 85° C

· NoDelay™ scrive

· Processo ferroelettrico di alto-affidabilità avanzata

Superiore ai moduli di BBSRAM

· Nessun preoccupazioni della batteria

· Affidabilità monolitica

· Vera soluzione di superficie del supporto, nessun punti della ripresa

· Superiore per umidità, scossa e la vibrazione

· Resistente ai undershoots negativi di tensione

SRAM & EEPROM compatibili

· Piedinatura di JEDEC 8Kx8 SRAM & di EEPROM

· tempo di accesso di 120 NS

· tempo di ciclo di 180 NS

· La parità d'accesso & il tempo di ciclo per legge e scrive

Operazione di potere basso

· corrente attiva di 15 mA

· corrente standby di 20 mA

Configurazione dello standard industriale

· Temperatura industriale -40° C - +85° C

· un CONTENTINO o una IMMERSIONE di 28 perni

Specifiche: